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【2h】

Resonant photoluminescence and excitation spectroscopy of CdSe/ZnSe and CdTe/ZnTe self-assembled quantum dots

机译：Cdse / Znse和Cdse的共振光致发光和激发光谱   CdTe / ZnTe自组装量子点

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We show that two major carrier excitation mechanisms are present in II-VIself-assembled quantum dots. The first one is related to direct excited state -ground state transition. It manifests itself by the presence of sharp andintense lines in the excitation spectrum measured from single quantum dots.Apart from these lines, we also observe up to four much broader excitationlines. The energy spacing between these lines indicates that they areassociated with absorption related to longitudinal optical phonons. Byanalyzing resonantly excited photoluminescence spectra, we are able to separatethe contributions from these two mechanisms. In the case of CdTe dots, theexcited state - ground state relaxation is important for all dots in ensemble,while phonon - assisted processes are dominant for the dots with smallerlateral size.
机译：我们显示了II-VI自组装量子点中存在两个主要的载流子激发机制。第一个与直接激发态-基态跃迁有关。它通过从单个量子点测得的激发光谱中存在尖锐而强烈的线来表现出来，除了这些线之外，我们还观察到多达四个更宽的激发线。这些线之间的能量间隔指示它们与与纵向光学声子有关的吸收相关的区域。通过分析共振激发的光致发光光谱，我们能够从这两种机制中分离出贡献。在CdTe点的情况下，激发态-基态弛豫对于整体中的所有点都很重要，而声子辅助过程对于较小边号的点来说是主要的。

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